RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2781
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link