RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2781
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link