RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,254.2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
53
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,753.1
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,254.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
776
3809
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link