RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,254.2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
53
Около -71% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,753.1
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,254.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
776
3809
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link