RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
50
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.9
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
2382
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link