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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

総合得点
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 50
    周辺 -92% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 10.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    15.3 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.9 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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