Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 19200
    Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 50
    Wokół strony -92% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.6 left arrow 15.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    50 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.3 left arrow 15.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.9 left arrow 11.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2512 left arrow 2382
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania