RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2382
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link