Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 19200
    En 1.33% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 50
    En -92% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.6 left arrow 15.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    50 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 15.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.9 left arrow 11.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2512 left arrow 2382
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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