RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
61
Rund um -144% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,835.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
606
2781
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link