RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
61
Около -144% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
2781
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link