RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
61
Около -144% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
2781
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link