Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 36

Около 25% меньшая задержка

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.0 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 36
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 15.8
Скорость записи, Гб/сек

8.9 11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2418 2417

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

модули RAM