RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
61
Intorno -144% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
25
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
2781
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link