RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
61
Autour de -144% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
2781
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link