RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2628
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link