RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2597
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link