RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
45
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4089
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link