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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
45
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
21
读取速度,GB/s
12.3
20.1
写入速度,GB/s
8.0
19.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
4089
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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