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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
68
左右 -162% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
26
读取速度,GB/s
4,402.8
15.6
写入速度,GB/s
2,013.5
13.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2885
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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