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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.2
19.6
写入速度,GB/s
8.1
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3432
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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