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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
6.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
51
Por volta de -113% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
6.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2256
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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