RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
96
Autour de -167% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3050
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link