RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
96
Autour de -167% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2981
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link