RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
96
Por volta de -167% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2981
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link