RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
96
Autour de -191% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3671
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link