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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
96
Autour de -433% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
18
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3814
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calculate
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