RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
96
Autour de -433% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
18
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3529
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Jinyu 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link