RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
96
Autour de -405% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
19
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3435
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link