RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
96
Wokół strony -405% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3435
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link