RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
96
Wokół strony -405% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3435
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link