RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2383
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link