RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
3170
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link