RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2301
3170
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link