RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
73
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
14.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
73
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2340
1724
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB Сравнения RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link