RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
73
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
14.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
73
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2340
1724
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB Сравнения RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kllisre 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link