RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
73
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
73
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2340
1724
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link