RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3014
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link