RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3014
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link