RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2497
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link