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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
36
周辺 22% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
36
読み出し速度、GB/s
12.9
15.8
書き込み速度、GB/秒
9.0
11.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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