PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

-->

Средняя оценка

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.7 13.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

10.2 10.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 38
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 13.8
Скорость записи, Гб/сек

10.0 10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2753 2841

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB

Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

модули RAM