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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
38
读取速度,GB/s
16.7
13.8
写入速度,GB/s
10.0
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2841
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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