RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link