RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link