RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link