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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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