RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
96
Autour de -220% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2935
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link