RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
96
Autour de -336% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
4240
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link