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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Comparez
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Note globale
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Note globale
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
43
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2354
2615
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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