RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Confronto
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
43
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
43
Velocità di lettura, GB/s
14.1
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2354
2615
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link