RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
44
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1853
2449
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link