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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Note globale
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.2
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3341
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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