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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Motivi da considerare
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
40
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
20
Velocità di lettura, GB/s
11.3
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
2707
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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