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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
40
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
37
Velocità di lettura, GB/s
11.3
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
2814
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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