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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Motivi da considerare
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
40
Intorno -111% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
19
Velocità di lettura, GB/s
11.3
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
3499
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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